速度與精度
無(wú)論是半導(dǎo)體、光學(xué)加工、納米材料、3C電子、超精密加工、微機(jī)電等行業(yè)，都離不開對(duì)精密元器件的表面粗糙度、幾何輪廓等參數(shù)的測(cè)量分析。我們的YNM白光干涉3D形貌測(cè)量?jī)x是一款用于精密零部件表面納米級(jí)測(cè)量的精密儀器，可以幫助客戶在所有條件和環(huán)境中安全快速測(cè)量，這款智能機(jī)器以出色的精度、速度和效率滿足客戶最嚴(yán)格的要求。
● 智能解決方案帶來(lái)的多功能性
高清晰度可視化CCD相機(jī)與白光干涉測(cè)頭相結(jié)合，可快速定位被測(cè)區(qū)域，宏觀、微觀結(jié)構(gòu)一目了然。
● 高工藝可靠性
獨(dú)特的隔振系統(tǒng)和氣浮移動(dòng)平臺(tái)，能夠有效隔離多頻率振動(dòng)，消除環(huán)境振動(dòng)和噪聲影響，保障了測(cè)量系統(tǒng)的高重復(fù)性。
● 測(cè)量效率最高
150mm x 150 mm氣浮移動(dòng)測(cè)臺(tái)結(jié)合專業(yè)掃描軟件，可以對(duì)大尺寸工件一鍵拼接測(cè)量；又可對(duì)多工件快速重復(fù)測(cè)量。
● 專業(yè)測(cè)量分析軟件
MountainsMap? 軟件被全球數(shù)以千計(jì)的工程師、科學(xué)家和計(jì)量學(xué)家使用，是 2D 和 3D 表面紋理分析和計(jì)量的專業(yè)工具。
白光干涉法(WLI)測(cè)量原理
白光干涉法(WLI) 是一種非接觸式光學(xué)測(cè)量方法。它利用電磁波的干擾能力，在固定的時(shí)間與空間的相位關(guān)系上發(fā)生干涉效應(yīng)。WLI 使用相干長(zhǎng)度短的光源，這種光源發(fā)出的波包的時(shí)間維度在飛秒范圍內(nèi)。飛秒范圍內(nèi)的相干時(shí)間對(duì)應(yīng)于微米范圍內(nèi)的相干長(zhǎng)度，能實(shí)現(xiàn)精確的形貌測(cè)量。
| 光從光源發(fā)出到達(dá)被測(cè)物表面。 在光線到達(dá)被測(cè)物之前，一部分光線從半透鏡反射到參考鏡上（Mirror 1，距離d1），一部分光學(xué)穿過(guò)半透鏡達(dá)到樣品表面； 從樣品反射回來(lái)的光束經(jīng)半透鏡反射到達(dá)傳感器（距離d2，紅色箭頭）； 同時(shí)，從參考鏡反射回來(lái)的光束也到達(dá)傳感器（綠色箭頭）； |
| 粉色波形是我們用紅色箭頭收集形成的數(shù)據(jù)，綠色波形是我們用綠色箭頭收集形成的數(shù)據(jù)； 距離d1和d2直接影響這些波形曲線的形成，這些波形產(chǎn)生干涉，兩個(gè)波形曲線越相似，振幅就越高。 當(dāng)所有的峰值振幅相互疊加，就得到了上面的干涉振幅圖。 |
YNM 應(yīng)用領(lǐng)域
半導(dǎo)體制造： 用于晶圓、芯片和其他半導(dǎo)體元件的表面形貌測(cè)量。 |
|
精密機(jī)械加工： 對(duì)機(jī)械零部件進(jìn)行三維測(cè)量，評(píng)估其加工精度和表面質(zhì)量。 |
|
材料科學(xué)： 研究各種材料的表面特性，包括金屬、陶瓷、聚合物等。 |
|
光學(xué)元件制造： 測(cè)量光學(xué)元件的表面形狀和粗糙度，確保其光學(xué)性能符合設(shè)計(jì)要求。 |
|
生物醫(yī)學(xué)工程： 用于測(cè)量和分析生物樣本的表面結(jié)構(gòu)，如細(xì)胞、組織等。 |
|
YNM 技術(shù)規(guī)格
物鏡倍率 | 2X | 4X | 8X | 10X | 20X | 50X | 100X |
視場(chǎng) mm2 | 6.5x6.1 | 3.3x3.1 | 1.6x1.5 | 1.3x1.2 | 0.65x0.61 | 0.26x0.25 | 0.13x0.12 |
工作距離 mm | 43.0 | 42.9 | 12.8 | 7.4 | 4.7 | 3.4 | 2.0 |
數(shù)值孔徑 | 0.1 | 0.15 | 0.25 | 0.3 | 0.4 | 0.5 | 0.7 |
橫向分率 μm | 20 | 10 | 5 | 4 | 2 | 0.8 | 0.4 |
光學(xué)分率 nm | 100(2nm) | 100（2nm） | 100（2nm） | 100（1nm） | 70（1nm） | 50（1nm） | 30（1nm） |
重復(fù)性nm | 100（5） | 100（1） | |||||
可測(cè)樣品反射率 | 0.1% - 100% | ||||||
光源 | 高功率LED, Ic=630nm | ||||||
X、Y位移平臺(tái) | 行程：150 mm * 150 mm；分辨率：0.1μm | ||||||
Z軸掃描 | 行程：40mm；標(biāo)準(zhǔn)分辨率： 20nm；超精分辨率：1nm | ||||||
速度與精度
無(wú)論是半導(dǎo)體、光學(xué)加工、納米材料、3C電子、超精密加工、微機(jī)電等行業(yè)，都離不開對(duì)精密元器件的表面粗糙度、幾何輪廓等參數(shù)的測(cè)量分析。我們的YNM白光干涉3D形貌測(cè)量?jī)x是一款用于精密零部件表面納米級(jí)測(cè)量的精密儀器，可以幫助客戶在所有條件和環(huán)境中安全快速測(cè)量，這款智能機(jī)器以出色的精度、速度和效率滿足客戶最嚴(yán)格的要求。
● 智能解決方案帶來(lái)的多功能性
高清晰度可視化CCD相機(jī)與白光干涉測(cè)頭相結(jié)合，可快速定位被測(cè)區(qū)域，宏觀、微觀結(jié)構(gòu)一目了然。
● 高工藝可靠性
獨(dú)特的隔振系統(tǒng)和氣浮移動(dòng)平臺(tái)，能夠有效隔離多頻率振動(dòng)，消除環(huán)境振動(dòng)和噪聲影響，保障了測(cè)量系統(tǒng)的高重復(fù)性。
● 測(cè)量效率最高
150mm x 150 mm氣浮移動(dòng)測(cè)臺(tái)結(jié)合專業(yè)掃描軟件，可以對(duì)大尺寸工件一鍵拼接測(cè)量；又可對(duì)多工件快速重復(fù)測(cè)量。
● 專業(yè)測(cè)量分析軟件
MountainsMap? 軟件被全球數(shù)以千計(jì)的工程師、科學(xué)家和計(jì)量學(xué)家使用，是 2D 和 3D 表面紋理分析和計(jì)量的專業(yè)工具。
白光干涉法(WLI)測(cè)量原理
白光干涉法(WLI) 是一種非接觸式光學(xué)測(cè)量方法。它利用電磁波的干擾能力，在固定的時(shí)間與空間的相位關(guān)系上發(fā)生干涉效應(yīng)。WLI 使用相干長(zhǎng)度短的光源，這種光源發(fā)出的波包的時(shí)間維度在飛秒范圍內(nèi)。飛秒范圍內(nèi)的相干時(shí)間對(duì)應(yīng)于微米范圍內(nèi)的相干長(zhǎng)度，能實(shí)現(xiàn)精確的形貌測(cè)量。
| 光從光源發(fā)出到達(dá)被測(cè)物表面。 在光線到達(dá)被測(cè)物之前，一部分光線從半透鏡反射到參考鏡上（Mirror 1，距離d1），一部分光學(xué)穿過(guò)半透鏡達(dá)到樣品表面； 從樣品反射回來(lái)的光束經(jīng)半透鏡反射到達(dá)傳感器（距離d2，紅色箭頭）； 同時(shí)，從參考鏡反射回來(lái)的光束也到達(dá)傳感器（綠色箭頭）； |
| 粉色波形是我們用紅色箭頭收集形成的數(shù)據(jù)，綠色波形是我們用綠色箭頭收集形成的數(shù)據(jù)； 距離d1和d2直接影響這些波形曲線的形成，這些波形產(chǎn)生干涉，兩個(gè)波形曲線越相似，振幅就越高。 當(dāng)所有的峰值振幅相互疊加，就得到了上面的干涉振幅圖。 |
YNM 應(yīng)用領(lǐng)域
半導(dǎo)體制造： 用于晶圓、芯片和其他半導(dǎo)體元件的表面形貌測(cè)量。 |
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精密機(jī)械加工： 對(duì)機(jī)械零部件進(jìn)行三維測(cè)量，評(píng)估其加工精度和表面質(zhì)量。 |
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材料科學(xué)： 研究各種材料的表面特性，包括金屬、陶瓷、聚合物等。 |
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光學(xué)元件制造： 測(cè)量光學(xué)元件的表面形狀和粗糙度，確保其光學(xué)性能符合設(shè)計(jì)要求。 |
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生物醫(yī)學(xué)工程： 用于測(cè)量和分析生物樣本的表面結(jié)構(gòu)，如細(xì)胞、組織等。 |
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YNM 技術(shù)規(guī)格
物鏡倍率 | 2X | 4X | 8X | 10X | 20X | 50X | 100X |
視場(chǎng) mm2 | 6.5x6.1 | 3.3x3.1 | 1.6x1.5 | 1.3x1.2 | 0.65x0.61 | 0.26x0.25 | 0.13x0.12 |
工作距離 mm | 43.0 | 42.9 | 12.8 | 7.4 | 4.7 | 3.4 | 2.0 |
數(shù)值孔徑 | 0.1 | 0.15 | 0.25 | 0.3 | 0.4 | 0.5 | 0.7 |
橫向分率 μm | 20 | 10 | 5 | 4 | 2 | 0.8 | 0.4 |
光學(xué)分率 nm | 100(2nm) | 100（2nm） | 100（2nm） | 100（1nm） | 70（1nm） | 50（1nm） | 30（1nm） |
重復(fù)性nm | 100（5） | 100（1） | |||||
可測(cè)樣品反射率 | 0.1% - 100% | ||||||
光源 | 高功率LED, Ic=630nm | ||||||
X、Y位移平臺(tái) | 行程：150 mm * 150 mm；分辨率：0.1μm | ||||||
Z軸掃描 | 行程：40mm；標(biāo)準(zhǔn)分辨率： 20nm；超精分辨率：1nm | ||||||
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